Saphlux荣获“陕西省独角兽培育企业”称号

Saphlux荣获“陕西省独角兽培育企业”称号

纵观全球创新创业,“独角兽”企业已经成为创业浪潮中最吸引人目光,最为闪亮的一块舞台,在西安高新区这片热土上,一大批优秀企业正在跻身“独角兽”俱乐部的征途中奋力奔跑。


7月26日下午,西安高新区管委会联合长城战略咨询召开了“硬科技创未来·2018西安高新区独角兽企业发布会”。陕西科技厅副厅长兰新哲、西安市科技局副局长楼文晓,西安高新区党工委副书记、管委会主任杨仁华,西安高新区党工委委员、管委会副主任贾轶昊、杨华、王海若,长城战略咨询总经理武文生、副总经理徐苏涛、黄波,西安高新技术产业风险投资有限责任公司董事长宫蒲玲等参与了会议,并为上榜企业颁发奖牌和证书。

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发布会上,杨仁华主任介绍了“西安高新区独角兽计划”。西安高新区将探索新经济、新业态、新供给模式,实现政府从土地、政策供给者向创新创业生态建设者的转变,为企业提供全方位、全链条、全要素服务,全面实施以“丝路独角兽基地”、“独角兽培育工场”为载体的整体培育计划,打造独角兽企业生长的“森林”。

报告同时指出三家潜在独角兽企业,以及包括西安赛富乐斯科技有限公司(Saphlux. Inc)在内的独角兽培育企业12家,分布在光电芯片、大数据、智能医疗、无人机等领域。

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 赛富乐斯行政总监曹泽亮(右四)上台领奖

赛富乐斯行政总监曹泽亮(右四)上台领奖

自2015年以来,每年科技部火炬中心联合长城战略咨询共同发布全国独角兽企业榜单,持续挖掘独角兽企业。这些独角兽企业充分体现了新经济以新技术、新产业、新业态、新模式为代表的典型特点,是拉动区域经济快速增长,促进区域创新创业环境发展,正在或者未来带动产业爆发式成长的一群“巨兽”。

纵观全球创新创业,“独角兽”企业已经成为创业浪潮中最吸引人目光,最为闪亮的一块舞台,在西安高新区这片热土上,一大批优秀企业正在跻身“独角兽”俱乐部的征途中奋力奔跑。西安高新,未来可期!

Saphlux, Inc.首席科学家宋杰在日出席第十九届国际金属有机化学气相外延大会并作报告

Saphlux, Inc.首席科学家宋杰在日出席第十九届国际金属有机化学气相外延大会并作报告

 

6月3日至8日,第十九届国际金属有机化学气相外延大会在日本奈良举行,Saphlux, Inc.首席科学家、北京大学物理学博士、美国耶鲁大学电子工程系博士后、第十四批国家“千人计划”青年项目入选者宋杰出席本届大会并作报告。

 会场外景

会场外景

 宋杰博士

宋杰博士

本届大会邀请了日、英、德、法、美、中、韩等40多个国家来自高校、科研机构及企业的近400名代表参加,参会代表的研究领域分别涉及III-N(GaN, AlN, InN)族半导体,III-V族半导体,氧化物半导体,二维材料,量子点、纳米线材料,MOCVD生长,选区生长,高温超导材料,II-V族(ZnO, ZnSe, ZnS等)半导体材料等方面。

 参会嘉宾合影留念

参会嘉宾合影留念

在大会报告中,宋杰博士介绍了在蓝宝石衬底上异质外延制备无层错的半极性GaN材料。他介绍表示,通过研究生长动力学机制和层错的形成机制,Saphlux, Inc.技术团队找到了一种能够有效消除半极性GaN中层错的方法,从而获得了4英寸大尺寸的无层错半极性GaN,并在该无层错的半极性GaN上制备了蓝绿光LED。初步的实验结果表明:在无层错的半极性GaN上制备的蓝、绿光LED,在波长一致性和改善光效衰退(efficiency droop)上具有更好的性能。

 宋杰博士在大会上作报告

宋杰博士在大会上作报告

和往届大会有所不同的是,今年的大会报告呈现出四大关注趋势:第一,高In组分长波长的高效率发光器件;第二:高功率、高频率的GaN基电力电子器件;第三:发展高效率的紫外LED;第四:III-V族电子器件和Si基CMOS器件的集成。除此,诺贝尔奖获得者Hiroshi Amano教授在Nagoya大学组建起一支庞大的研究队伍,搭建了完善的电子器件工艺制备和性能检测平台,致力于发展高功率GaN基电子器件也成为大会报告中的一大亮点。

Saphlux在《财富》创新大赛中喜获“出行和绿色科技”组冠军

Saphlux在《财富》创新大赛中喜获“出行和绿色科技”组冠军

2017年12月5日至6日,首届《财富》国际科技头脑风暴大会在广州举行,这是科技头脑风暴大会连续举办16年以来,首次在美国以外的地区举行,大会汇聚了全世界创新经济领域的众多领导者。作为大会的重要环节,2017年《财富》中国创新大赛也在大会首日进行并决出了5名优胜者。

 Saphlux联合创始人兼首席执行官陈辰在台上比赛

Saphlux联合创始人兼首席执行官陈辰在台上比赛

  会期,作为2017《财富》中国创新大赛“出行和绿色科技”组别的选手,Saphlux通过了专家评委严苛的评选,从百余家风投机构支持的初创公司中脱颖而出,成为了决赛场上的15强之一。之后,经过本组别所有决赛选手的路演环节和评委嘉宾的点评提问环节后,现场观众手持投票器将选票投给自己的意向企业。

  真格基金的首席执行官兼合伙人方爱之女士评价Saphlux代表了中国半导体产业的下一代的进程,并表达了她对未来20年Saphlux将对世界带来怎样贡献的高度期待。

 评委纪源资本管理合伙人童士豪先生、摩拜单车联合创始人及首席执行官王晓峰先生、真格基金首席执行官兼合伙人方爱之女士及大赛主持人亚当•拉辛斯基先生

评委纪源资本管理合伙人童士豪先生、摩拜单车联合创始人及首席执行官王晓峰先生、真格基金首席执行官兼合伙人方爱之女士及大赛主持人亚当•拉辛斯基先生

  随后,大赛主持人、美国财富杂志执行主编亚当•拉辛斯基先生宣布观众投票结果,Saphlux从本组别胜出,成为本次《财富》中国创新大赛的最终五强之一,“出行和绿色科技”组冠军。最终获胜的五强获得由广汽提供的汽车一辆,并得到2017年12月6-8日在广州举行的2017财富全球论坛的入场券一张,更能获得在财富全球论坛的主讲台上、在世界五百强巨擘面前展示自己的殊荣。

  据了解,《财富》中国创新大赛旨在发掘那些有潜力成为中国创新领袖的杰出初创公司,他们的创新活动具备给中国以外地区带来巨大影响的潜力。

 广汽集团总经理冯兴亚先生与Saphlux联合创始人兼首席执行官陈辰在财富全球论坛主讲台上

广汽集团总经理冯兴亚先生与Saphlux联合创始人兼首席执行官陈辰在财富全球论坛主讲台上

Saphlux在耶鲁大学管理学院2017创业展演上接受采访

Saphlux在耶鲁大学管理学院2017创业展演上接受采访

 

2017年11月29日,耶鲁大学管理学院的校友们齐聚位于美国纽约华尔街的耶鲁俱乐部,参加该学院2017创业展演活动。本次活动由创业计划赞助,突出展示了餐饮服务、家居、技术和医疗等行业内由近几届校友和在读学生创立的初创公司。

 Saphlux的联合创始人兼首席执行官陈辰作为耶鲁大学管理学院的校友参加了这次活动,并在期间接受了耶鲁管理学院的采访。在采访中,他讲述了Saphlux的故事和耶鲁管理学院对他事业的帮助。

他介绍说:“我们正在创造LED激光的新一代材料,它能让灯泡比现在亮10倍。我们正在研究的技术是半导体显像材料,它能够应用在手机、车头灯、电脑屏幕等多种发光照明物料上,它的推广应用将是半导体照明工业或固态照明行业整体的一次革命。“

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 “在耶鲁大学,我遇到了Saphlux的联合创始人——电子工程系的韩仲教授。耶鲁管理学院教会我最重要的事是如何将社会责任感和商业模式连接为一体。我们建立公司并不只是为了钱,而是相信我们更有责任去利用这项技术让人们的生活变得更简单、更美好。我们将和有同样想法的投资方一起为此努力,我想这才是最重要的。” 陈辰表示。

Sahplux发布4英寸无层错(20-21)氮化镓晶圆

Saphlux Releases 4” (20-21) GaN on Sapphire Template

Mass-producible 4” Semi-polar GaN Material for Industry Applications

Branford, CT, November 21st , 2017 - Saphlux announced today the release of the stacking fault free 4” (20-21) GaN on Sapphire template: a big step forward from its 2”product and a key milestone for the industry in the decades of effort of addressing the long-standing efficiency droop and green gap issues.

Semi-polar GaN materials can greatly reduce the Quantum Confined Stark effect (QCSE) caused by polarized fields and increase the volume of the InGaN active region to enable high power devices and high-efficiency, long-wavelength devices. Using the unique patented growth technologies, in May 2016, researchers of Saphlux have demonstrated on the 2” template that a stacking-fault-free, large-size, and low-cost semi-polar material can be achieved.

Noticing the strong needs of such materials from solid-state lighting industry, Saphlux set up a 4” production line for semi-polar materials and successfully released the 4” (20-21) semi-polar GaN template in November 2017. Different from the 2” product which focuses predominantly on R&D users, the 4” product focuses more on industry users for mass production. The 4” wafer fits the current mainstream LED and laser production lines and will enable the customers to directly adopt the materials for their product development in varied applications.

For more information about Saphlux' semi-polar template, visit http://www.saphlux.com/tech-cn/.