Saphlux, Inc.首席科学家宋杰在日出席第十九届国际金属有机化学气相外延大会并作报告

Saphlux, Inc.首席科学家宋杰在日出席第十九届国际金属有机化学气相外延大会并作报告

 

6月3日至8日,第十九届国际金属有机化学气相外延大会在日本奈良举行,Saphlux, Inc.首席科学家、北京大学物理学博士、美国耶鲁大学电子工程系博士后、第十四批国家“千人计划”青年项目入选者宋杰出席本届大会并作报告。

 会场外景

会场外景

 宋杰博士

宋杰博士

本届大会邀请了日、英、德、法、美、中、韩等40多个国家来自高校、科研机构及企业的近400名代表参加,参会代表的研究领域分别涉及III-N(GaN, AlN, InN)族半导体,III-V族半导体,氧化物半导体,二维材料,量子点、纳米线材料,MOCVD生长,选区生长,高温超导材料,II-V族(ZnO, ZnSe, ZnS等)半导体材料等方面。

 参会嘉宾合影留念

参会嘉宾合影留念

在大会报告中,宋杰博士介绍了在蓝宝石衬底上异质外延制备无层错的半极性GaN材料。他介绍表示,通过研究生长动力学机制和层错的形成机制,Saphlux, Inc.技术团队找到了一种能够有效消除半极性GaN中层错的方法,从而获得了4英寸大尺寸的无层错半极性GaN,并在该无层错的半极性GaN上制备了蓝绿光LED。初步的实验结果表明:在无层错的半极性GaN上制备的蓝、绿光LED,在波长一致性和改善光效衰退(efficiency droop)上具有更好的性能。

 宋杰博士在大会上作报告

宋杰博士在大会上作报告

和往届大会有所不同的是,今年的大会报告呈现出四大关注趋势:第一,高In组分长波长的高效率发光器件;第二:高功率、高频率的GaN基电力电子器件;第三:发展高效率的紫外LED;第四:III-V族电子器件和Si基CMOS器件的集成。除此,诺贝尔奖获得者Hiroshi Amano教授在Nagoya大学组建起一支庞大的研究队伍,搭建了完善的电子器件工艺制备和性能检测平台,致力于发展高功率GaN基电子器件也成为大会报告中的一大亮点。