新型宽禁带半导体材料

突破第一代氮化镓的极化效应,开启下一代LED、激光及功率器件

 

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高性能 

 解决效率衰减、绿光光隙等问题,大幅提升光电子器件在输出功率、效率、波长稳定性等方面的表现。

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可量产

采用独有的选择性生长工艺,在通用的大尺寸蓝宝石衬底上直接生长低成本的半极性氮化镓材料。

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高品质

全球领先的高品质半极性氮化镓晶圆,线错密度低,均匀性好,并成功实现了零层错。